P램(Phase-change RAM)이 차세대 메모리반도체로 다시 급부상하고 있다.
　그동안 P램은 개발 및 양산에 필요한 기술적 한계에 부딪히며 관심에서 멀어졌으나 최근 삼성전자와 인텔이 잇따라 P램을 유력한 차세대 메모리로 지목함에 따라 세계 반도체업계의 관심이 집중되고 있다. 현재 차세대 메모리로는 M램, F램이 주목받고 있다.
　EE타임스에 따르면 세계 1위 메모리업체 삼성전자는 차세대 비휘발성 메모리로 P램을 ‘강력한 후보자’로 보고 기술개발에 적극 나서고 있다. 또 인텔의 스티븐 레이 기술부문 부사장은 “인텔의 메모리 개발 프로그램에는 P램의 개발일정이 들어가 있다”며 “P램 개발을 위한 노력은 계속되고 있다”고 밝혔다.
　삼성전자는 최근 교토에서 열린 VLSI 심포지엄에서 P램 관련 3편의 논문을 내놓고 물질의 상이 무정형에서 수정상태로 변화할 때 1비트를 얻어내는 방식의 P램 기술을 선보였다. 삼성은 P램이 차세대 메모리로서 안정성, 기억 횟수 등에서 잠재력이 충분하다는 결과를 얻었다고 밝혔다.


　레이 부사장은 “인텔은 몇 년 전부터 P램 기술인 ‘오보닉(ovonic)’을 연구해 왔다”며 “지금까지 이룬 오보닉 관련 성과를 밝힐 수는 없지만 때가 되면 업계 전체가 놀랄 만한 발표를 할 수 있을 것”이라고 말했다.
　따라서 차세대 메모리 자리를 두고 P램, M램, F램이 각축을 벌일 것으로 예상된다. 차세대 메모리로 세가지 기술을 모두 연구 중인 삼성과 인텔은 M램과 F램의 단점을 지적하고 있다. 삼성은 “F램은 쓰고 지우기를 반복할 경우 내구성에 문제가 있으며, M램의 경우 플래시, F램, D램에 경쟁할 만큼 셀 크기를 줄일 수 있을지 의문”이라고 지적했다. 레이 부사장은 “M램이 모바일 시스템 시장에 출시되지 못할 것이며, F램의 경우 저전력 기술로 각광받고 있지만 플래시를 밀어내기에는 역부족”이라고 말했다.