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삼성전자，세계최초 70나노 4기가 낸드플래시 개발
삼성전자[05930]는 세계 최초로 70나노 공정을적용한 4기가 낸드(NAND) 플래시 메모리 반도체 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.
삼성전자는 이와 함께 80나노 공정을 적용한 512메가 DDR D램 양산기술을 확보하고 기존 낸드 및 노어(NOR) 플래시의 장점을 융합한 `퓨전(Fusion)' 메모리를 개발함으로써 세계 메모리 반도체 업계의 선두 주자임을 다시 한번 확인했다고 말했다.
삼성전자 황창규 메모리 사업부 사장은 이날 오전 신라호텔에서 가진 내외신 기자회견에서 세계 최초로 70나노 공정을 적용한 4기가 낸드 플래시의 개발을 발표했다.
4기가 낸드 플래시 메모리는 지난해 발표된 2기가 낸드플래시에 비해 1년만에집적도가 2배 증가한 것으로 이 제품이 적용될 경우, 4기가 바이트급 하드디스크 대체가 가능하고 MP3 음악파일 기준 2천곡과 영화 8시간 저장이 가능한 8기가 바이트급 메모리 카드의 공급도 이뤄질 것이라고 회사측은 예상했다.
회사측은 또 70나노 공정을 적용함으로써 세계 최소인 0.025㎛²메모리 셀 사이즈를 실현한 것은 물론, 업계 최초로 양산에 돌입한 2기가 낸드 플래시에 이를 적용할 경우 90나노 공정 적용에 비해 50% 이상 생산성을 향상시킬 수 있다고 말했다.
황 사장은 이와 함께 지난해 90나노 양산기술 확보 이후 1년만에 80나노 512메가 DDR D램 양산기술을 확보했다고 밝히고 웨이퍼당 칩수의 증가로 현재 주력공정인0.10 미크론 공정에 비해 90% 이상 생산성 향상이 가능해졌다고 말했다.
80나노 512메가 DDR D램은 D램의 데이터 보유특성(리프레시 특성)을 혁신적으로 개선한 제품으로 저저항 텅스텐(W) 게이트 공정을 적용, 성능을 대폭 향상시켰으며 `저온 고유전' 산화막 공정을 이용한 D램 셀을 통해 차세대 표준인 DDR3 D램 동작전압인 1.5V 이하에서도 동작이 가능하도록 개발된 것이 또 다른 특징이라고 회사측은 설명했다.
본격 양산을 선언한 `512메가 퓨전 메모리'는 데이터 읽기 속도가 빨라 코드 저장용으로 주로 응용되고 있는 노어 플래시의 장점과 고용량 집적도 구현이 용이해비트당 가격이 저렴하고 노어 플래시에 비해 쓰기속도가 20배 이상 빠른 낸드 플래시의 장점을 동시에 수용한 제품이다.
다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 실리콘에 집적화하고, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어까지 동시에 제공하는 일종의 `시스템 메모리' 제품으로 디지털 가전의 복합화, 고성능화 요구를 수용할 수 있어 향후 메모리 사업부의 주력제품으로떠오를 것으로 회사측은 전망했다.
한편 최근 업계의 관심사인 300㎜ 웨이퍼 전용라인과 관련, 삼성전자는 "12라인은 올 3.4분기부터 본격 가동 중이며 특히 12라인에서는 플래시 메모리와 D램을 동시에 생산할 계획"이라고 밝혔다.
황 사장은 "전세계 메모리 반도체 수요의 PC 의존도가 현재는 80% 수준이나, 메모리 응용처의 패러다임 변화가 급속히 진행되고 있어 오는 2006년에는 커뮤니케이션, 모바일 시장 의존도가 PC 의존도를 추월할 것"이라며 "낸드 플래시가 빠르게 디지털 제품에 침투되고 있어 예측보다 더욱 가파른 성장이 예상된다"고 말했다.
(서울=연합뉴스) 김남권기자
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우리나라 기술의 발전이 엄청나네여...
전 개인적으로... [하드디스크]가 [하드칩(?)]으로 바뀌어지는 꿈을 가지고 있습니다.
디스크 드라이버 보다는 메모리 칩으로 돌리는 것이 안전하고 속도가 빠를 것 같아서요..
