삼성전자는 또 지난해 9월 세계 최초로 4기가비트(GB) 낸드(NAND) 플래시 메모리를 개발한 데 이어 1년 만에 8기가 낸드 플래시 메모리 개발에도 성공해 전세계 정보통신과 함께 일상생활에도 혁신적인 변화를 몰고 올 전망이다.
황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 20일 서울 호텔신라에서 이 같은 내용의 ‘반도체 신제품 및 반도체총괄 전략’을 발표했다. 황 사장은 “기존의 80나노 기술을 적용해 2기가급 개발에 성공함으로써 용량 확대를 위해서는 ‘반드시 미세공정이 적용돼야 한다’는 등식을 깨고, 설계 및 공정기술을 통해서도 용량 확대를 이루게 됐다”고 말했다.
삼성전자는 이번에 개발 성공한 2기가 DDR2 SD램 제품을 2005년부터 조기 양산에 들어가고, 최대 8기가 바이트급 메모리 모듈 (DIMM) 제작이 가능해짐에 따라 대용량 메모리 모듈을 요구하는 서버 및 워크스테이션에 탑재할 예정이다.
이 제품은 기존 모듈 제품과의 호환이 자유롭기 때문에 대용량 메모리 수요를 크게 진작시킬 수 있을 것으로 전망된다. 또 대용량 서버 및 워크스테이션에 대용량 메모리 채용이 본격화될 경우 원격 의료시스템, 쌍방향 통신 등 차세대 정보통신 혁명을 앞당길 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.
삼성전자는 올해 말까지 전체 DDR 제품 중 DDR2 비중을 34%까지 높여 세계 DDR2시장에서 점유율 50% 이상을 점유할 계획이다.
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<보도자료 원문>
삼성전자, 세계최초 60나노 8기가 반도체시대 개막
□ 세계 최초 60나노 8기가(Gb) 낸드플래시 개발
□ 세계 최초 80나노 2기가(Gb) DDR2 D램 개발
□ 세계 최고속 667㎒ 모바일 CPU 개발
□ 업계 유일의 모바일 종합반도체 업체로 도약 선언
"메모리 新성장론"을 앞세우며 全세계 메모리 반도체 시장을 席卷하고 있는 삼성전자(대표: 윤종용 부회장)는 20일 호텔신라 다이너스티 홀에서 삼성전자 반도체총괄의 올해의 대표적인 연구개발 成果를 발표하였다.
특히, 작년까지 삼성전자 메모리사업부만을 담당했던 황창규 社長이 올해초 반도체총괄 社長으로 就任한 後 처음으로 開催되는 기자간담회라는 点에서 이번 行事는 더욱 注目을 받았다.
이날 간담회에서 황사장은,
「세계 최소 선폭 60나노 기술 商用化한 8기가 낸드플래시 개발」,
「세계 최대 용량 80나노 2기가 DDR2 D램 개발」및
「세계 최고속 667MHz 모바일 CPU 개발」等을 同時에 발표하였다.
우선, 메모리 부문의 8기가 낸드플래시 및 2기가 DDR2 D램 개발 성공을 통해 삼성전자가 거둔 성과를 요약하면 다음과 같다.
ⓛ 세계 최초 60나노 기술 商用化 성공은 "技術을 重視" 하는 삼성전자의 꾸준한 연구개발 투자의 결실임은 물론,
삼성전자가 반도체 나노기술의 絶對 强者임을 확인시켜 주었으며,
('01년 100나노 → '02년 90나노 → '03년 70나노 → '04년 60나노)
註) 60나노: 머리카락 두께 2천분의 1 정도의 회로선폭
8기가 : 손톱만한 칩 안에 81억 9천만개의 트랜지스터를 집적한 용량
② 메모리 카드向 8기가 낸드플래시 개발을 통해, 每年 집적도가 1年에 2倍 增加한다는 "메모리 新成長論"을 5년 연속 實現, 이 理論이 메모리 반도체산업에 完全 定着 되었음을 立證하였고,
('99년 256M → '00년 512M → '01년 1G → '02년 2G → '03년 4G → '04년 8G)
③ 서버/워크스테이션向 2기가 DDR2 D램 개발 성공을 통해서는, 삼성전자가 '92년 세계 최초로 64메가 D램을 개발, 이 분야 세계 1位 登極 以後 현재는 물론, 앞으로도 후발업체가 감히 추월할 수 없는 D램 분야 不動의 1位 유지가 확실함을 다시 한번 증명하였다.
('92년 64M → '94년 256M → '96년 1G → '98년 128M → '01년 512M → '04년 2G)
'02.2월 "반도체의 올림픽" 이라고 불리우는 "국제반도체학회(ISSCC)" 總會에서 황창규 社長이 기조연설을 통해, 旣存의 "무어의 법칙"을 뛰어넘는 "메모리 新成長論"을 最初로 提示할 當時만 해도 많은 반도체 전문가들은 半信半疑 하였다. '01년의 극심한 반도체 불황을 겪고 난 直後였기 때문이다.
'99년 256메가 개발 以後 올해 8기가 개발 성공에 이르기까지 5년 연속 입증된 "메모리 新成長 理論"이 더욱 注目받고 있는 理由의 一端도 여기에 있다.
當時 황사장은 메모리 수요처의 급격한 變化도 예견한 바 있는데, IT 산업은 과거 PC 중심으로 성장하였으나, 2000년대 부터는 모바일 및 디지털 컨수머가 주도할 것이며, 이에 따라 메모리 역시 旣存의 PC向 D램은 물론, 모바일 및 디지털 컨수머向 D램 및 낸드플래시가 시장을 주도해 나간다는 것이 주요 내용이었다. 그 당시의 예측은 지금 그대로 맞아 떨어지고 있음을 알 수 있다.
또한, 삼성전자는 메모리의 차세대 成長엔진으로 메모리와 로직을 融複合한 "퓨전 메모리"를 선정하였다. 올해부터 사업이 본격 확대되고 있는 "퓨전 메모리"의 첫번째 제품인 OneNANDTM 는 낸드플래시의 低原價 構造를 가지고 있으면서도, 노어플래시의 高速 動作이 가능한 장점을 가지고 있는 同時에 로직 기능까지 탑재, 주로 고성능 휴대폰, PDA, 디지털-TV 等에 채용되고 있다.
한편, 시스템 LSI 부문의 世界 最高速 667MHz 모바일 CPU 개발 성공 발표를 통해 삼성전자는 메모리는 물론, 시스템 LSI 분야 "모바일 成長엔진"도 철저히 준비, "메모리 新成長論"의 연장선상에서 서서히 胎動하고 있는 모바일 根幹의 "半導體 新成長"도 삼성전자가 主導할 것임을 선언하였다.
삼성전자가 '07년까지 시스템 LSI 5大 일류화 제품군으로 집중 육성하고 있는 제품은 현재 세계 1위 제품인 디스플레이 구동칩(DDI)을 포함, CMOS 이미지센서(CIS), 모바일 CPU, 칩카드 IC, 옵티컬 플레이어 SoC 等인데 실제로 이들 中 옵티컬 플레이어 SoC를 제외하고는 모두 모바일向 제품이다.
결국, 삼성전자 반도체는 이제까지의「메모리-시스템 LSI 獨自成長 모델」에서 탈피, 이미 獨步的인 競爭力을 가지고 있는 메모리와 협력, 시스템 LSI도 함께 성장하는 이른바「메모리-시스템 LSI 同伴成長 모델」을 더욱 深化·發展시킬 계획임을 공식적으로 천명한 것이다.
삼성전자의 올해 상반기 반도체 매출은 前年 同期 對比 80% 성장으로 업계 최고성장을 실현하였는데, 이는 불황下에서도 과감한 투자를 통해,
ⓛ 차세대 기술 선점을 위한 지속적인 연구개발
② 生産能力 極大化로 절대 우위의 원가경쟁력 확보 等이 바탕이 되고 있는 것으로 분석된다.
이 外에도, 미래시장에 대한 정확한 예측 및 철저한 준비, 미래 주력제품의 早期 발굴, 한계기술 극복을 위한 지속적인 노력 等을 성공의 요체로 꼽은 황사장은 앞으로도 삼성전자 반도체는 現 위치에 자만하지 않고, 미래 모바일 중심의 반도체 시장에서도 주도권을 더욱 강화, 數年內 世界 最頂上의 반도체 업체로 우뚝 설 수 있을 것임을 강조하였다.
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