이렇게 세밀한 작업까지 알아야 할까? 하시는분들...
한번 읽어보고 아~ 램이 그렇게 만들어지나 보다 하면 되는겁니다.
우리가 램을 만들일도 없고 또 이런 내용을 몰라도 전혀 상관없죠.여긴 그냥 상식(?)코너이므로 읽어보시다가 골머리 아프면 그냥 넘어가세요.
아래 내용은 PC 사랑에서 발췌한 것입니다.

램은 어떻게 만드는지, 제조공정을 나타내는 미크론(μm)이 무엇인지, 패턴과 웨이퍼가 어떤 것인지 등을 알아보도록 하자.

단계1. 웨이퍼 만들기
반도체를 만드는 재료는 모래에서 나는 규소덩어리다. 이것을 얇게 썰어서 웨이퍼를 만든다. 캐드 프로그램에서 설계한 회로 선을 웨이퍼 표면의 유리판에 새긴다.

·재료 만들기
실리콘을 물처럼 녹여서 자잘한 티를 없애고, 솜사탕 만들 듯이 막대기를 대고 돌려서 규소덩어리(ingot)를 만든다.

·규소덩어리 썰기
규소덩어리를 무 썰듯 얇게 잘라 만두피처럼 만든다. 이것이 웨이퍼(wafer)이다. 규소덩어리 굵기에 따라서 3인치, 4인치, 6인치, 8인치로 만든다. 한 웨이퍼에서 반도체를 많이 만들려고 규소덩어리 6인치짜리를 8인치로 바꾸는 추세다.

·웨이퍼 닦기
회로 선(pattern. 무늬)을 그리려고 웨이퍼 한쪽 면을 닦아 거울처럼 만든다.

·전자회로 설계하기
캐드(CAD. computeraided design) 프로그램을 써서 웨이퍼에 새겨놓을 전자회로를 짠다.

·무늬 새기기
바둑판을 만들듯이 웨이퍼껍데기 유리판에 레이저 빛을 쏘아 네모 칸을 치고 전자회로를 그린다. 전문용어는‘Mask(reicle) 만들기’라고 한다.




RD램(rambus DRAM)은 명령과 데이터를 주고받는 방법을 뿌리부터 바꾼 프로토콜(protocol, 규약) 방식 메모리다.
하지만 데이터를 주고받는 방법이 바뀌었을 뿐, 작동 원리는 그대로 D램이다. PC 시스템과 주고받는 명령과 데이터를 묶어서(packet) 주고받게 고친 것이다. 이처럼 묶인 데이터를 시스템 버스가 똑바로 알아채려면 D램과 서로 약속(protocol)을 해둬야 한다. 때문에 메모리 칩에 프로토콜을 알아채는 인터페이스를 단다.

SD램은 8비트를 한 번에 주고받는 버스(bus. 데이터 통로)를 지닌 메모리 칩 8개를 엮고 병렬로 연결했기 때문에 64비트를 한 번에 주고받는다. 그에 반해 RD램은 16비트짜리 메모리 칩을 램버스 채널(데이터 통로)에 얹어 직렬로 연결해서 16비트 그대로다.
SD램은 주기 한 번에 64비트씩 데이터를 주고받지만 RD램은 16비트를 주고받는다. 한 번에 주고받는 데이터는 SD램보다 적지만 데이터 통로의 작동속도가 400MHz이고 DDR 기술을 써서 800MHz로 끌어 올렸다. 이것은 펜티엄 4 CPU와 짝을 맺게 된 이유이기도 하다. 펜티엄 4는 시스템 버스가 400MHz라서 CPU와 메인보드 칩셋이 주고받는 데이터 폭은 1초에 3.2GB다. RD램을 쓰면 메인보드 칩셋과 나누는 데이터 폭을 3.2GB로 맞출 수 있기 때문이다.
400MHz로 작동하는 RD램은 클럭 4번이 패킷 한 개이고, 이 것이 램버스 채널에서 명령을 내리는 가장 작은 단위다. 직렬로 연결한 메모리 칩은 16비트 데이터를 엮어서 RD램도 16비트 데이터를 주고받지만 작동속도가 400MHz이고 DDR 기술을 써서 800MHz로 작동하기 때문에 속도가 빠르다.







단계 2. 웨이퍼 가공하기
웨이퍼 표면의 유리판에 새긴 회로 선을 빛을 쏘아 웨이퍼 위에 작게 새기고, 이온을 웨이퍼에 침투시켜서 반도체에 생명력을 불어넣는다.

·막 씌우기
800℃∼1,200℃에서 산소나 수증기를 웨이퍼에 대면 화학반응이 일어나 얇고 고른 실리콘산화막(SiO2)이 생긴다. 이것이 산화공정(oxidation proc ess)이다.

·감광액 뿌리기
빛을 받으면 화학반응을 일으키는 감광액(PR.photoresist)을 웨이퍼에 고르게 뿌린다. 이렇게 해서 생긴 얇은 막이‘PR막’이다.

·회로 찍기
웨이퍼껍데기 유리판에 빛을 쏘아 웨이퍼에 회로 선 사진을 찍는 작업이다. 스태퍼(stepper) 기계를 써서 웨이퍼껍데기 유리판에 새긴 전자회로에 빛을 비추면 PR막에 회로 선이 찍힌다. 이것이 노광공정(exposure process)이다.

·회로 선 새기기
마치 필름을 현상해서 사진을 만들 듯 빛을 받은 얇은 PR막이 웨이퍼 위에 회로 선을 그린다. 때문에 손톱 만한 반도체에 복잡한 회로 선을 새길 수 있다. 이것이 현상(de velopment)공정이다.

·회로 선 청소하기
회로 선을 깔금하게 정리해야 하므로 화학물질이나 가스를 뿌려서 쓸데없는 회로 선을 없앤다. 이것은 패턴형성과정 또는 에칭(etching) 공정이기도 하다.

·이온 넣기
'이온 넣기’(ionim planta tion) 공정은 회로 선에 이온(ION, 전기를 띤 원자)을 스프레이 뿌리듯이 웨이퍼 안에 집어넣는 작업이다. 이것은 데이터를 담는 최소 단위인 전자소자를 만든다. '이온 넣기’작업 말고도 묽고 짙음이 다른 물질을 섞으면 점점 농도가 같아지는'확산’(diffusion) 작용을 쓰기도 한다.

·화학 증기 앉히기
화학 증기 앉히기(CVD. che mical vapor deposition) 작업이다. 전기가 흐르는 엷은 층이나 흐르지 않는 층을 만들려고 화학 반응을 해서 만든 입자를 웨이퍼에 앉힌다.

·알루미늄 선 깔기
웨이퍼 위에 새긴 회로 선을 알루미늄 선으로 만드는 작업이다. 이것이 금속배선(metal lization)이다.

단계 3 조립과 검사
동그란 웨이퍼에 바둑판 무늬를 찍고 회로 선을 새긴 다음, 화학수지를 씌워 메모리 칩을 만든다. 여러 작업마다 메모리 칩이 올바르게 작동하는지 전기를 줘서 검사한다.

불량 웨이퍼 골라내기
웨이퍼에 만든 IC칩들이 전기를 대주면 똑바로 반응하는지 검사해서 불량품을 골라낸다.

·칩 떼어내기
다이아몬드 톱으로 웨이퍼에 만들어 놓은 칩을 따로 떼어낸다.

·칩 얹기
낱개로 떨어져 있는 칩 가운데 품질이 좋은 것만 리드프레임에 얹는다.

·선 잇기
칩이 갖춘 연결단자와 리드프레임을 가느다란 금 선으로 연결한다.

·칩 껍데기 씌우기
칩과 연결한 금 선을 보호하려고 화학수지를 씌운다. 이것이‘성형’(molding) 공정이다.

·마지막 검사
전기를 줘서 제대로 작동하는지 최종 검사를 한다. 합격한 제품은 메모리와 만든회사 이름을 새기고 검사를 더 거친 다음, 시장에 판다.