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GM 71 C 18 16 0 A J 7
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨

① GM : LG 반도체 제품임을 표시하는 고유 표시
② 71 : FAMILY
DRAM
③ 제조공법, 종류 :
C : CMOS형 메모리 (3V) V : CMOS형 메모리 (3.3V)
④ DENSITY(밀도, 용량) 및 리플래쉬 싸이클 :
16 : 16M, 4K 리플래쉬 17 : 16M, 2K 리틀래쉬
18 : 16M, 1K 리플래쉬
⑤ 구성 Bit
10 : x1 40 : x4
41 : x4, 4CAS 80 : x8
16 : x16
⑥ 종류
0 : FAST PAGE (일반램) 3 : EDO 램
⑦ REVISION NO.
A : FIRST B : SECOND
C : THIRD
⑧ 포장형태
J : SOJ T : TSOP (NORMAL)
R : TSOP (REVERSE) I : USON
⑨ 속도
6 : 60NS

따라서 위 램의 용량은 1,048,576 WORDS * 16 BIT 즉 1M * 16 BIT = 2M Byte 용량의 램이다.
또는 DENSITY에 명시된 대로 16M bit 이다..

같은 종류의 삼성전자 램은
KM 4 1 6 C 12 04 B J -6
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨

① KM : 삼성전자 메모리
② FAMILY
DRAM
③ 구성 Bit
32 = X32 16 = X16
8 = X8 4 = X4
④ 제조공법, 종류 :
C : CMOS형 메모리 (3V) V : CMOS형 메모리 (3.3V)
⑤ DENSITY(밀도 , 용량) 및 리플래쉬 싸이클
1로 시작하면 1M 2로 시작하면 2M
4로 시작하면 4M 8로 시작하면 8M를 의미한다
⑥ 종류
0 : FAST PAGE (일반램) 4 : EDO 램
⑦ REVISION NO.
A : FIRST B : SECOND
C : THIRD
⑧ 포장형태
J : SOJ T : TSOP (NORMAL)
R : TSOP (REVERSE) I : USON
⑨ 속도
6 : 60NS




삼성램 구별법

[DRAM DIMM 넘버]
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
- - - - - - - - - - -
KM M 3 72 E 4 1 0 A T 1 - L 6
-- -- -- --- --- -- -- --- --- -- -- -- --
│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │
삼성 ──┘ │ │ 데이타 │ │ │ │ │ │ │ │ └── 속도
메모리 모듈 │ 비트 │ │재생율│ 버전 │ │ 파워
│ │ │ │ │ │
메모리타입 │용량 구성요소 │PCB버전
연결부위 │ │
모듈특성 패키지타입
프로세스
전압

1. 메모리 타입/연결부위 2. 데이타비트
1 FLASH 8/9 x8/x9 bit
2 Mask ROM 32/36 x32/x36 bit
3 DRAM DIMM 39/40 x39/x40 bit
4 DRAM 8byte SODIMM 64/72 x64/x72 bit
5 Old JEDEC DRAM SIMM 68/74 x64/x72 Unbuffered DIMM
6 SRAM -144 x144 bit
7 New JEDEC DRAM SIMM
8 ASSP
9 VRAM

3. 모듈특성/프로세스/전압 4. 용량
-C F/P, 5V -1 1M
-V F/P, 3.3V -2 2M
-E EDO, 5V -4 4M

-F EDO, 3.3V -8 8M
-W WINDOW RAM, 5V -16 16M
-S SYNC, 3.3V -32 32M
-G SYNC Graphic, 3.3V

5. 재생율 6. 구성요소
-0 4K Cycle -0 x4
-1 2K Cycle -1 x4 + x1
-2 1K Cycle -2 x4 + x4(Quad CAS)
-8 8K Cycle -3 x8
-4 x16
-5 x16 + x4(Quad CAS)

7. 제품 리비전 8. 패키지 타입
-Blank None -J SOJ(1st) & Gold
-A First Rev. -K SOJ(2nd) & Gold
-B Second Rev. -T TSOP(1st) & Gold
-C Third Rev. -S TSOP(2nd) & Gold

9. PCB 리비전 11. 속도
-Blank None -'C', 'V', 'E', 'F'에서
-1 First Rev. 5 50ns
-2 Second Rev. 6 60ns
-3 Third Rev. 7 70ns
-'W', 'S', 'G'에
10. 파워 0 10ns
-Blank 노멀 2 12ns
-L Low 파워 & Self refresh


[DRAM SIMM 넘버]

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
- - - - - - - - - - - - -
KM M AA BBB C DDD E F G H I J K L M - NN ---속도
-- -- -- --- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
│ │ │ │ │ │ │ ││ │ │ │ │ │ │ └Lead Finish
삼성 ──┘ │ │구조 │ │ │ ││ │ │ │ │ │ └── x32
메모리 모듈 │ │ │재생율│버전││ │ 요소개수 또는 x33 PCB
│ │ │ │모드││ │
메모리타입 │용량 전력소모 ││ PCB버전
연결부위 │ ││
│ │ 패키지타입
프로세스 │
전압 구성버전


1. 메모리 타입/연결부위 2. 데이타비트
1 FLASH 8/9 x8/x9 bit
2 Mask ROM 32/36 x32/x36 bit
3 DRAM DIMM 39/40 x39/x40 bit
4 DRAM 8byte SODIMM 64/72 x64/x72 bit
5 Old JEDEC DRAM SIMM -144 x144 bit
6 SRAM
7 New JEDEC DRAM SIMM 4. 용량
8 ASSP -1 1M
9 VRAM -2 2M
-4 4M
3. 프로세스/전압 -8 8M
-Blank CMOS 5V -16 16M
-V CMOS 3.3V -32 32M
-S Sync, 3.3V -512 512K
-256 256K

5. 재생율 6. 전력소모
-0 4K Cycle -0 Normal
-1 2K Cycle -2 저전력 & Self Refresh
-2 1K Cycle -4 초저전력
-8 8K Cycle

7. 작동 & 구조 8. 구성 버전
-0 F/P -Blank None
-1 Nibble -A 처음 버전
-2 Static Column -B 두번째 버전
-3 Quad CAS 사용 -C 세번째 버전
-4 EDO
-5 EDO 와 Quad CAS 사용 9. 패키지 타입
-6 메모리 로직 사용하지 않음 -Blank SOJ(1st)
-7 메모리 로직 사용하지 않고 -1 SOJ(2nd)
& Quad CAS 사용 -2 TSOP(1st)
-3 TSOP(2nd)

10. PCB 리비전 11. 요소개수
-Blank None -Blank 7개 칩 이상

-1 First Rev. -N 8개 칩 이하
-2 Second Rev. -U Byte Wide Base
-3 Third Rev. -W Word Wide Base


12. x32 또는 x33 PCB에서
-V x32 또는 x33 PCB

13. Lead Finish & Customer 14. 속도
-Blank Solder 5 50ns
-G Gold 6 60ns
-------------------- 7 70ns
-D DEC 7 70ns
-H HP
-M 18M
-P Nickel
-Q Compaq
-X Cambex


:-@