메모리 반도체 세계시장을 주도하고 있는 삼성전자가 기술 일류화,메모리 제품군 복합화로 메모리 반도체 사업의 제2도약을 선언했다.
삼성전자는 16일 호텔신라에서 메모리 사업관련 내외신 기자감담회를 갖고 메모리 반도체 기술에서 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 확보하고, 업계 최초로 2기가 NAND 플래시메모리 시생산에 성공했다고 발표해 메모리는 물론 전세계 반도체 산업에 큰 영향을 줄 『 반도체 기가 시대, 나노 시대 』 를 본격화했다.
이 날 삼성전자가 반도체 공정기술에서 마의 벽으로 인식되어온 0.10미크론을 뛰어넘는, 90나노 기술로 NAND 플래시 시생산 성공과 D램 양산 기술을 확보했다고 밝힌 것은 메모리 산업에서 나노 기술의 상용화에 대한 새로운 이정표를 세운 것으로 평가된다.
삼성전자가 금번 발표한 2기가 NAND 플래시메모리로 엄지손가락만한 크기의 4기가바이트 메모리카드를 제작 가능하며, 여기에 기존 음악 CD 70장이나 영화 비디오 테입 4편의 데이터를 대체 저장할 수 있는 대용량이다. NAND 플래시 메모리는 현재 디지털 카메라, 게임기, 캠코더 등에 디지털기기에 채용되고 있는데 수요가 년간 2배 이상 급증하고 있다. 특히 올해부터는 삼성전자의 표준 사양으로 휴대폰에도 채용되기 시작했다.
NAND 플래시메모리의 등장으로 카메라의 필름과 PC의 FDD(플로피디스크) 그리고 소용량 HDD(하드디스크드라이브)까지 사라짐으로써 IT관련 전자기기의 모바일화 및 멀티미디어화를 가속시킬 것이라고 전망했다.
삼성전자는 2003년 하반기부터 300mm 전용 라인에서 양산할 계획이다. 전세계 플래시메모리 시장은 NAND와 NOR 플래시메모리를 포함하여 2002년 80억불에서 2005년 140억불로 확대될 것으로 예상한다.
아울러 삼성전자는 함께 공개한 90나노 D램 공정기술은 현재 건설하고 있는 300mm 웨이퍼 라인(12라인)에서 차세대 512메가 D램 및 1기가 D램에 양산 적용할 것이라고 밝혔다.
90나노 공정으로 512메가 D램에 대해 양산성을 확보한 것은 삼성전자가 업계 처음이며, 현재 양산중인 0.12미크론 공정 대비 생산성을 두 배 이상 향상 시킨 것이다.
따라서 삼성전자는 경쟁업체와의 미세화 공정의 세대 격차가 더 커지고, 시장 지배력도 강화될 전망이다.
시장조사기관 데이터퀘스트 자료에 의하면 2005년 512메가 D램과 1기가 D램 시장은 각각 122억불과 33억불로 예상하고 있다.
삼성전자의 이번 90나노 공정 기술은 기존 라인 설비를 최대한 활용하여 최소 투자를 가능케 하는 기술로서 투자효율성 측면에서도 큰 의미를 갖고 있으며, 향후 70나노급 공정 기술에도 응용할 수 있다고 밝혔다. 특히 완벽한 평탄화 기술을 실현하여 메모리와 로직 기능이 합쳐지는 퓨전(Fusion) 메모리에도 적용해 나갈 계획이다.
퓨전 메모리란 D램의 고성능, S램의 저전력, 플래시의 비휘발성 기능이 모두 구비하면서 일부 로직 기능이 통합된 차세대 신개념 메모리이다.
이 날 간담회에서 삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 "IT 산업이 확산되면서 메모리 반도체가 더욱 빠르게 진보하고 있으며, 특히 모든 디지털 제품에서도 급속히 채용되는 등, 시장 성장이 PC 의존도에서 본격적으로 벗어나는 급격한 패러다임의 변화를 맞고 있다. 즉, 3세대 휴대폰이 범용화되고, 디지털 카메라와 디지털 TV등 디지털 Consumer 전자 제품이 함께 급성장하는 2005년경에는 대폭적인 메모리 시장 성장을 맞을 것이다" 라는 "메모리 신성장 견해"를 지난 2월 세계 최고 권위의 반도체 학술대회인 ISSCC (International Solid State Circuit Conference) 회의 기조연설에 이어 그간 반도체 기술에서 교과서로 인식되어온 무어의 법칙에 견주어 참고될 수 있는 반도체 신성장론을 재피력해 눈길을 끌었다.
메모리 신성장 시각은 "메모리 소비의 급성장으로 인하여 메모리 발전 또한 집적도면에서 년간 2배 이상의 급성장을 이루게 되고, 향후의 시장 및 응용 수요에 대응하기 위해서 현재 연구 단계에 있는 신공정, 신물질 및 퓨젼 메모리와 같은 새로운 차세대 메모리 소자 등의 상용화가 가속화될 것이다" 라는 것으로" 1.5년간 2배의 집적도가 올라간다는 무어의 법칙" 보다 적극적인 내용을 담고 있어 최근 관련 업계를 비롯한 반도체업계에서 주목을 받고 있다.
현재 삼성전자의 NAND 플래시메모리의 양산 싯점을 보면 2000년 256Mb, 2001년 512Mb, 2002년 1Gb을 각각 시작함으로써, 집적도가 대략 1년에 2배씩 증가하여 메모리 신성장론을 뒷받침해주고 있다.
이 날 기자간담회에서 삼성전자는 △ 1.5년마다 집적도가 두배로 증가한다는 기존의 주기성보다 빨라진 집적화 기술 확보, △ 2년도 채 안된 기간에 0.18미크론, 0.15미크론, 0.12미크론, 90나노 공정기술 초미세화, △ 200mm 대비 2.5배 생산성의 300mm 웨이퍼로의 선도 진입, △ D램 위주에서 탈피, 플래시메모리와 복합메모리 등 다양한 제품군으로의 사업포트폴리오 확대로 반도체 불황의 시장 상황과 무관하게 이익을 낼 수 있었던 전략을 구체적으로 제시함으로써, 반도체 제 2도약을 선언하는 배경이 되었다고 밝혔다.
한편 반도체업계의 Hot Issue인 300㎜ 웨이퍼 전용라인과 관련하여,삼성은 12라인을 2003년 3분기부터 본격 가동할 계획이며, 지난해 메모리업계에서 세계 첫 가동한 12인치 라인의 경험과 노우하우(Knowhow)를 극대화하여 300㎜ 전용 라인인 12라인은 플래시 메모리와 D램을 동시에 생산 가능하도록 하여 투자 효율화를 통한 300㎜ 양산 시대를 주도해 나갈 계획이라고 설명하였다.
또한 삼성전자는 최근 DRAM 시황 대처와 관련하여 이미 2001년부터 삼성전자는 범용 PC 의존도를 축소하기 위한 차별화를 확대하여, 초고속 DDR SD램, 램버스 D램, 그래픽 D램 등의 비중을 70%까지 증가시키는 등, 범용 PC 의존 제품 구조에서 탈피했다.
또한 SDRAM 시장 가격이 하락해도 삼성전자 메모리 사업부의 매출은 오히려 증가하고 있다고 발표하면서, 이는 메모리 매출 중 휴대폰용 메모리와 메모리 카드 등 모바일기기 및 디지탈기기와 관련된 제품의 비중이 35%를 차지하면서 최근 PC 경기 둔화에 영향을 덜 받기 때문에 나타난 결과라고 설명하였다.
이에 따라서 거의 모든 경쟁사가 적자를 경험한 2002년 상반기에 삼성만이 유일하게 큰 이익을 낼 수 있었다"라고 밝혔다.
시장조사기관 IC Insights는 삼성전자 반도체 부문이 01년 업계 5위에서 '02년 상반기에는 2위를 차지했다고 발표했다.
삼성전자는 향후 5년간의 미래 전략과 관련하여, 지금까지의 메모리 최대 공급 회사의 위상을 넘어 PC 뿐만 아니라 서버, 워크스테이션, 휴대폰, 게임기, 디지털 TV 등, IT 및 디지털제품군 전체에 대응 가능한 종합 메모리업체로서 "Memory Solution Provider(제공자)" 및 "Memory Solution Creator(창의자)" 기능을 강화하여, 메모리 부문의 매출을 '05년에는 140억불, '2010년에는 250억불로 확대하는 등, 세계 1위 기업의 위상 및 리더십을 더욱 공고히 해나가겠다고 강조했다.