- 1Gb 낸드플래시·S램·로직을 하나의 칩에 집적한 퓨전메모리
- 노어 플래시 대비 67배 빠른 쓰기속도, 낸드 대비 4배 빠른 읽기속도 구현
- 노어 인터페이스 지원, 차세대 모바일 시장에서 노어 플래시 대체
퓨전 메모리도 이젠 기가(Giga-bit)시대!
삼성전자는 세계 최초로 90나노 공정을 적용, 낸드 플래시, S램 및 로직을 하나의 칩에 집적한 1기가(Giga-bit) 원낸드(OneNAND™) 퓨전 메모리를 개발했다.
이 제품은 다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 칩에 집적하고, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어까지 제공하는 "퓨전 메모리"의 일종으로 현재 휴대폰에 주로 사용되는 노어플래시를 대체할 것으로 기대된다.
"퓨전 메모리"는 메모리와 로직(logic)제품의 융합을 통해 기존 메모리 기능의 한계를 극복하고, 모바일기기용 시장 창출에 크게 기여하며,세계 반도체산업의 중장기 발전방향을 제시하고 있다는 점에서 삼성전자 메모리사업 차별화의 결정판이라는 평가를 받고 있는 제품이다.
1기가 원낸드는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어 대비 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기속도와 낸드 대비 4배 빠른 초당 108MB(Mega Byte)의 읽기속도를 구현, 실시간 읽고 쓰기가 가능하다.
이 제품은 낸드 플래시에 저장된 데이터를 동시에 다수의 블럭단위로 지울 수 있는 "멀티블럭 삭제(Multi-Block Erase)" 기능도 가지고 있어 읽기/쓰기는 물론 지우기도 고속처리가 가능하다.
별도의 로직 회로가 집적돼 낸드 플래시내의 데이터 오류 발생時에 기존 CPU가 담당했던 정정기능(ECC:Error Correction Code)을 원낸드가 자체적으로 해결, CPU의 부담을 줄일 수 있는 장점도 가지고 있다.
또한, 외부의 변화에 영향을 받지 않도록 한번 저장된 프로그램을 읽기전용(One Time Programmable)으로 지정해 보안성을 강화하고, 바이러스에 의한 프로그램 손상 방지를 위해 블럭잠금 기능도 지원, 신뢰성을 높여 시스템 성능의 향상도 가능케 했다.
원낸드 제품은 추가투자 없이 기존 낸드 플래시 설비로 양산이 가능, 원가경쟁력에서도 우수하다.
이 제품을 채택하면 휴대폰 부팅시간이 대폭 단축되고, 500만 화소급 사진 60매의 연속촬영이 가능하다.
1기가 원낸드는 노어 플래시 대비 쓰기 기능 등에서 훨씬 우수한 성능을 보유하였을 뿐 아니라, 심비안·리눅스 등 모든 OS 지원이 가능, 노어 플래시를 급속히 대체할 것으로 전망되며, 향후 3세대 휴대폰을 중심으로 수요가 급증할 것으로 기대된다.
시장조사 기관인 IDC에 따르면 3세대 핸드폰은 '08년까지 연평균 67%의 급성장이 예상된다.
삼성전자는 이번 1기가 원낸드(OneNAND™) 개발로 메모리와 비메모리의 융복합화를 통한 시너지를 극대화하는 동시에 모바일 D램, MCP(Multi-Chip Package)에 이어 모바일向 반도체 분야 리더로서의 위상을 더욱 확고히 할 수 있게 됐다.
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