ST 마이크로일렉트로닉스와 인텔은 오늘 휴대폰 단말기 제조업자들이 개발 비용을 절감하면서 다 기능 제품을 보다 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 하기 위한 공통 플래시 메모리 서브시스템을 발표했다. 휴대폰 메모리 설계를 단순화하기 위해 양사는 공동 설계에 기반한 호환가능 하드웨어 및 소프트웨어 메모리 제품을 제공하게 된다. 따라서, 휴대폰 제조업체들은 개발 시간의 단축 및 생산 비용 절감을 통해 저렴하게 양사의 차세대 노어 플래시제품으로 신속히 이행 할 수 있게 되었다.

노어 플래시는 대용량 휴대폰 시장에 가장 적합한 주류 메모리 기술이다. 산업 조사 기관 아이서플라이(iSuppli)에 따르면, 휴대폰에 탑재되는 플래시 메모리의 92.8%를 노어 플래시 메모리가 점유하고 있으며, 인텔과 ST는 현재 휴대폰에 들어가는 노어 플래시 메모리를 40% 이상을 공급하고 있다.

노어 플래시 제품을 주도하는 “2차 소스” 및 서브시스템을 만들기 위한 이러한 움직임은 ST와 인텔이 공동 사양을 위해 최초로 협력했다는 데 그 의의가 있다. 공동 사양에 기반한 첫 번째 멀티-레벨 셀 노어 제품은 업계를 선도하는 90나노 공정으로 설계 및 제조된512 Mbit 디바이스이고 현재 인텔과 ST, 두 회사 모두 공급 가능하다. 공통 서브시스템 사양은 65나노 MLC 노어 기술로 확대되어 1기가비트 의 MLC 노어 싱글 칩 제품에 주력하게 된다.

인텔 플래시 제품 그룹 총괄 책임자인 대린 빌러벡 (Darin Billerbeck) 부사장은 “현재 인텔과 ST는 전 세계 상위 10개 휴대폰 제조업체에 노어 플래시 메모리 제품을 공급하고 있다”며,“양사가 90나노 및 65나노 노어 플래시 제품을 위해 함께 개발한 메모리 서브시스템을 통해, 앞으로도 계속해서 휴대폰 업계를 선도하는 위치를 공고히 하게 될 것” 이라고 말했다.

ST마이크로일렉트로닉스 메모리 제품 그룹 부사장인 쥬세페 크리센자 (Giuseppe Crisenza)는 “ST와 인텔은 휴대폰 제조업자들에게 메가 픽셀 카메라, 동영상 및 고속 데이터 성능을 갖춘 멀티미디어 휴대폰을 위한 빠른 실행과 고밀도 및 전력 소비가 낮은 노어 플래시를 안정적으로 공급해 오고 있다.”며, “양사는 65나노 메모리 서브시스템에 차세대 제품개발을 위한 특징, 메모리 인터페이스와 및 패키징 기술을 규정하여 휴대폰 제조업자들에게 더 많은 가치를 부여하기 위해 협력하고 있다.”고 밝혔다.